TSEA一体成型电感

TSEA201208
TSEA201208

大电流和低损耗的金属材料一体压铸

高性能(Isat)由金属粉尘芯实现,低损耗由低Rdc实现

闭合磁路设计减少泄漏磁通量

乙烯热喷涂,更好的表面致密性

极小体积一体成型电感

工作温度:-55℃~+125℃

适用通信设备、平板电脑、智能手机、便携式游戏机、智能穿戴、Wi-Fi模块等

外观尺寸Outline dimension

TSEA201208

外观参数Exterior size / 单位:mm

◆  A:2.0±0.2   ◆  B:1.2±0.2   ◆  C:0.6±0.2   ◆  D:0.80Max.   ◆  E:0.70±0.2   ◆  a:2.1   ◆  b:1.3   ◆  c:0.5  

电气特性Electrical / 单位:mm

型号/NO

L/uH

DCR(mΩ)

Isat

(Amperes)

Irms

(Amperes)

PDF

TSEA201208-R11MB
0.11
12.00
7.00
9.50
TSEA201208-R15MB
0.15
13.00
6.80
7.50
TSEA201208-R24MB
0.24
23.00
6.50
6.50
TSEA201208-R24MG
0.24
23.00
6.50
6.50
TSEA201208-R24MGB
0.24
20.00
6.50
7.00
TSEA201208-R33MB
0.33
45.00
4.30
5.20
TSEA201208-R47MB
0.47
50.00
3.50
5.00
TSEA201208-R47MG
0.47
50.00
3.50
5.00
TSEA201208-R47MBD
0.47
28.00
4.70
5.20
TSEA201208-R68MB
0.68
60.00
3.70
4.20
TSEA201208-1R0MB
1.00
70.00
3.30
4.00
TSEA201208-1R0MBD
1.00
55.00
3.20
3.20
TSEA201208-1R0MGD
1.00
55.00
3.20
3.20

注释

■  K表示电感值的公差为±10%,M表示电感值的公差为±20%

■  K said inductance tolerance is ±10%, M said inductance tolerance is ± 20%

■  所有数据基于环境温度25℃条件下测试

■  All data is based on testing at an ambient temperature of 25 ℃

■  本页面未能录入全部或最新的数据,请您在订购前向本公司咨询精准参数及样品。

■  We were unable to input all or the latest data on this page. Please consult our company for accurate parameters and samples before placing an order

■  测试条件:100KHZ/0.1V

■  Test conditions: 100KHZ/0.1V

提醒

■  保存条件:温度 5~40°C,相对湿度小于等于 70%。

■  Storage conditions: Temperature between 5-40 ° C, relative humidity less than or equal to 70%.

■  产品储存期不建议超过 12 个月

■  The storage period of the product is not recommended to exceed 12 months

0755-29805463

联系电话

ark@anruike.com

电子邮箱

深圳市龙华区观湖街道新源社区观心街8号鸿鹏飞工业区C栋

公司地址

扫码关注

Copyright © 2024 深圳市安瑞科电子有限公司 All Copyright Reserved.

技术支持:聚力数字科技

企业邮箱登陆

粤ICP备11027301号