非晶纳米磁环电感

TCF-2008
TCF-2008
非晶纳米磁环电感

具有较高的硬度和韧性

优异的软磁性能,磁导率较高

具有良好的热稳定性

能够存储更多的磁能,提高磁存储器件的性能

工作温度:-40℃~+125℃(包含线圈发热)

适用于高速数据传输和高频电子设备

外观尺寸Outline dimension

TCF-2008

外观参数Exterior size / 单位:mm

电气特性Electrical / 单位:mm

型号/NO

L/uH

DCR(Ω)

Max

Isat

(Amperes)

Irms

(Amperes)

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TCF-2008
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注释Notes

K 表示电感值公差为 ±10%,M 表示电感值公差为 ±20%。

K denotes inductance tolerance of ±10%, M denotes inductance tolerance of ±20%.

温升电流:使产品温度比环境温度上升 40℃ 时所施加的直流电流值。

Temperaturerise current: DC current value causing a 40℃ temperature rise above ambient temperature.

饱和电流:电感值下降 30% 时实际直流电流值。

Saturation current: Actual DC current value when inductance drops by 30%.

测试条件:100KHZ/0.1V,环境温度 25℃。

Test conditions: 100KHZ/0.1V, ambient temperature 25℃.

保存条件:温度 5~40℃,相对湿度 ≤70%,储存期不建议超过 12 个月。

Storage conditions: Temperature 5–40°C, relative humidity ≤70%, recommended maximum storage period is 12 months.

选型避坑要点Key Selection Notes

1、优先按饱和电流选型,实际应用预留 30% 以上电流余量,避免电感饱和失效. 

Prioritize saturation current for selection; reserve more than 30% current margin in practical use to avoid inductance saturation failure.

2、温升电流同样预留 20% 以上余量,防止长期工作过热.

 Reserve over 20% margin for temperaturerise current to prevent overheating under longterm operation.

3、高频场景需兼顾直流电阻 DCR,降低发热与损耗,功率预留合理余量.

 Consider DC resistance (DCR) for highfrequency applications to reduce heat generation and power loss, with reasonable power margin reserved.

4、实际工作温度高于 25℃时,电流进一步降额,放大余量.

 Further derate operating current and increase margin when actual working temperature exceeds 25°C.

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